мастак писал(а):Сам кристалл, технология и материал подложки не разрабатывается конкретно для каждого уровня данных мощностей, как и его корпус. Для рассеивания же излишка тепла служит дополнительный радиатор, рассчитанный на конкретную мощность СИД. Единственный вопрос... о допустимой плотности тока на определённое суммарное сечение подводящих электродов. От их количества (суммарного сечения) будет зависеть, в конечном счете, и внутреннее сопротивление и падение напряжения на нём. На практике, питая 3-х ваттный и 5-и ваттные диоды от одного и того же источника, у 5-и ваттного ток выше.Wector писал(а): Если нет в них разницы, значит, изначально он создавался, как 5 Вт.!
Естественно, это чушь! Как раз он и разрабатывался под макс. мощность 5 Вт.
Если было так просто все (как вы описали выше), не делали б МС-Е 4-х кристальный, а просто к кристаллу Q5, влепили побольше перемычек токоведущих и делов то!!

Ничего такого...
Просто в некоторых случаях, возможно, будет достаточно и двух элементов питания, а не трёх....
Конечно, адекватное сечение должно присутствовать, об этом побеспокоился за вас производитель диодов.
Увы, вас не туда понесло, вы не там копаете. Это тупик, там только разочарование…

Вы не получите полуторного выигрыша в эффективности диода ("возможно будет достаточно и двух элементов питания, а не трёх....") - не смешите людей.
Возможно вы надумали, что из 3 Вольт падения напруги на диоде, на перемычки уходит 1 Вольт?!!


Мне импонирует ваш дух экспериментатора, в оптике вам удается получить определенный выигрыш в некоторых случаях.
Но перемычки…
Мой вам совет: сэкономьте себе время, ведь натрахаетесь с ними, а ожидаемого эффекта и близко не получите.
